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东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅mosfet，采用可降低开关损耗的4引脚封装
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚to-247-4l(x)封装的碳化硅（sic）mosfet---“twxxxzxxxc系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅mosfet芯片，用于支持
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东芝开发出业界首款2200v双碳化硅（sic）mosfet模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200v双碳化硅（sic）mosfet模块---“mg250yd2yms3”。新模块采用东芝第3代sicmosfet芯片，其漏极电流（dc）额定值为250a，适用于光伏发电
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东芝推出用于直流无刷电机驱动的600v小型智能功率器件
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600v小型智能功率器件（ipd）---“tpd4163f”和“tpd4164f”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。“tpd4163f”和“tpd4164f”的输出电
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东芝推出采用新型封装的车载40v n沟道功率mosfet，有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型s-togltm（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与u-mosix-h工艺芯片的车载40vn沟道功率mosfet——“xpjr6604pb”和“xpj1r004pb”。两款产
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工业设备的碳化硅（sic）肖特基势垒二极管（sbds）——“trsxxx65h系列”。首批12款产品（均为650v）中有7款产品采用to-220-2l封装，其余5款采用d
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代u-mosx-h工艺制造而成的100vn沟道功率mosfet“tph3r10aqm”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其搭载32位微控制器产品组“txz tm族高级系列”的“m3h组”中新推出“m3h组（2）”，该系列产品配备了采用40nm工艺制造而成的cortex-m3。近年来，随着数字技术的渗透，特别是
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，面向消费类产品和工业设备推出电机驱动ic“tb67s581fng”、“tb67s580fng”、“tb67h481fng”和“tb67h480fng”，其需要的外部部件数量不仅有所减少，而且还
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用s-vson4t封装的光继电器——“tlp3476s”，其导通时间与东芝当前产品tlp3475s相比缩短了一半。该产品于今日开始支持批量出货。与东芝当前的产品tlp3475s相比，tl
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新tcr1hf系列ldo稳压器的前三款产品——“tcr1hf18b”、“tcr1hf33b”和“tcr1hf50b”，分别提供1.8v、3.3v和5.0v的输出电压。该系列稳压器可提供高电
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出过温检测icthermoflaggertm系列的首两款产品：“tcth021be”当检测到异常状态时，flag信号不带锁存功能,“tcth022be”flag信号检测带锁存功能。它们利用正